APT6M100K

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APT6M100K
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220
Specifiche:	1.APT6M100K.pdf 2.APT6M100K.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	4923 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4923 pcs

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Specifiche di APT6M100K

Modello di prodotti	APT6M100K	fabbricante	Microsemi
Descrizione	MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	4923 pcs	Scheda dati	1.APT6M100K.pdf 2.APT6M100K.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220 [K]
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	2.5 Ohm @ 3A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	225W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3	Altri nomi	APT6M100KMI APT6M100KMI-ND
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1410pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	43nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	1000V
Descrizione dettagliata	N-Channel 1000V 6A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220 [K]	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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