APT80M60J

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APT80M60J
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
Specifiche:	1.APT80M60J.pdf 2.APT80M60J.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	1494 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1494 pcs

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

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Specifiche di APT80M60J

Modello di prodotti	APT80M60J	fabbricante	Microsemi
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	1494 pcs	Scheda dati	1.APT80M60J.pdf 2.APT80M60J.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 5mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	ISOTOP®
Serie	POWER MOS 8™	Rds On (max) a Id, Vgs	55 mOhm @ 60A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	960W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	SOT-227-4, miniBLOC	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Chassis Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	23 Weeks	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	24000pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	600nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	600V
Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 84A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	84A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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