APT9F100S

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APT9F100S
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK
Specifiche:	APT9F100S.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	4718 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4718 pcs

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Specifiche di APT9F100S

Modello di prodotti	APT9F100S	fabbricante	Microsemi
Descrizione	MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	4718 pcs	Scheda dati	APT9F100S.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	D3Pak
Serie	POWER MOS 8™	Rds On (max) a Id, Vgs	1.6 Ohm @ 5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	337W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2606pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	1000V	Descrizione dettagliata	N-Channel 1000V 9A (Tc) 337W (Tc) Surface Mount D3Pak
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	9A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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