APTC60AM83BC1G

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APTC60AM83BC1G
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1
Specifiche:
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	5735 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5735 pcs

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Specifiche di APTC60AM83BC1G

Modello di prodotti	APTC60AM83BC1G	fabbricante	Microsemi
Descrizione	MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	5735 pcs	Scheda dati
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 3mA	Contenitore dispositivo fornitore	SP1
Serie	CoolMOS™	Rds On (max) a Id, Vgs	83 mOhm @ 24.5A, 10V
Potenza - Max	250W	imballaggio	Tray
Contenitore / involucro	SP1	temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Chassis Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7200pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	250nC @ 10V	Tipo FET	3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper)
Caratteristica FET	Super Junction	Tensione drain-source (Vdss)	600V
Descrizione dettagliata	Mosfet Array 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper) 600V 36A 250W Chassis Mount SP1	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	36A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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