APTC60HM70BT3G

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APTC60HM70BT3G
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3
Specifiche:	APTC60HM70BT3G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	1230 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1230 pcs

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Specifiche di APTC60HM70BT3G

Modello di prodotti	APTC60HM70BT3G	fabbricante	Microsemi
Descrizione	MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	1230 pcs	Scheda dati	APTC60HM70BT3G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3.9V @ 2.7mA	Contenitore dispositivo fornitore	SP3
Serie	CoolMOS™	Rds On (max) a Id, Vgs	70 mOhm @ 39A, 10V
Potenza - Max	250W	imballaggio	Tray
Contenitore / involucro	SP3	temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Chassis Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	32 Weeks	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	259nC @ 10V
Tipo FET	4 N-Channel (H-Bridge)	Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)	600V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 39A 250W Chassis Mount SP3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	39A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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