APTC80H15T1G

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APTC80H15T1G
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1
Specifiche:	1.APTC80H15T1G.pdf 2.APTC80H15T1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	2563 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2563 pcs

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Specifiche di APTC80H15T1G

Modello di prodotti	APTC80H15T1G	fabbricante	Microsemi
Descrizione	MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	2563 pcs	Scheda dati	1.APTC80H15T1G.pdf 2.APTC80H15T1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3.9V @ 2mA	Contenitore dispositivo fornitore	SP1
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	150 mOhm @ 14A, 10V
Potenza - Max	277W	imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	SP1	temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Chassis Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	32 Weeks	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4507pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	180nC @ 10V
Tipo FET	4 N-Channel (H-Bridge)	Caratteristica FET	Standard
Tensione drain-source (Vdss)	800V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 800V 28A 277W Chassis Mount SP1
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	28A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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