APTGT50H60T2G

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APTGT50H60T2G
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	MOD IGBT 600V 80A SP2
Specifiche:
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	4365 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4365 pcs

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Specifiche di APTGT50H60T2G

Modello di prodotti	APTGT50H60T2G	fabbricante	Microsemi
Descrizione	MOD IGBT 600V 80A SP2	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	4365 pcs	Scheda dati
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	600V	Vce (on) (max) a VGE, Ic	1.9V @ 15V, 50A
Contenitore dispositivo fornitore	SP2	Serie	-
Potenza - Max	176W	Contenitore / involucro	SP2
temperatura di esercizio	-	Termistore NTC	Yes
Tipo montaggio	Chassis Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	3.15nF @ 25V
Ingresso	Standard	Tipo IGBT	Trench Field Stop
Descrizione dettagliata	IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 80A 176W Chassis Mount SP2	Corrente - Cutoff collettore (max)	250µA
Corrente - collettore (Ic) (max)	80A	Configurazione	Full Bridge Inverter

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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