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APTM100A46FT1G

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Microsemi
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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti: APTM100A46FT1G
Costruttore / Marca: Microsemi
Descrizione del prodotto MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1
Specifiche: 1.APTM100A46FT1G.pdf2.APTM100A46FT1G.pdf
Stato RoHS Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta 4817 pcs stock
Nave da Hong Kong
Modo di spedizione DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 4817 pcs
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Specifiche di APTM100A46FT1G

Modello di prodotti APTM100A46FT1G fabbricante Microsemi
Descrizione MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4817 pcs Scheda dati 1.APTM100A46FT1G.pdf2.APTM100A46FT1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 2.5mA Contenitore dispositivo fornitore SP1
Serie - Rds On (max) a Id, Vgs 552 mOhm @ 16A, 10V
Potenza - Max 357W imballaggio Bulk
Contenitore / involucro SP1 temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Chassis Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6800pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET Standard Tensione drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 19A 357W Chassis Mount SP1 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 19A

Metodo di spedizione

★ SPEDIZIONE GRATUITA TRAMITE DHL / FEDEX / UPS SE UN IMPORTO PER ORDINI SUPERIORE A 1.000 USD.
(SOLO PER Circuiti integrati, Protezione di circuiti, RF / IF e RFID, Optoelettronica, Sensori, Trasduttori, Trasformatori, Isolatori, Interruttori, Relè)

FEDEX www.FedEx.com A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
DHL www.DHL.com A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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