APTM10DHM05G

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APTM10DHM05G
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 100V 278A SP6
Specifiche:	1.APTM10DHM05G.pdf 2.APTM10DHM05G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	958 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 958 pcs

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100 pcs: $39.852

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Specifiche di APTM10DHM05G

Modello di prodotti	APTM10DHM05G	fabbricante	Microsemi
Descrizione	MOSFET 2N-CH 100V 278A SP6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	958 pcs	Scheda dati	1.APTM10DHM05G.pdf 2.APTM10DHM05G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 5mA	Contenitore dispositivo fornitore	SP6
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	5 mOhm @ 125A, 10V
Potenza - Max	780W	imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	SP6	temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Chassis Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	32 Weeks	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	20000pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	700nC @ 10V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical	Caratteristica FET	Standard
Tensione drain-source (Vdss)	100V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 100V 278A 780W Chassis Mount SP6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	278A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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