APTM120H29FG

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APTM120H29FG
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
Specifiche:	1.APTM120H29FG.pdf 2.APTM120H29FG.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	407 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 407 pcs

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Specifiche di APTM120H29FG

Modello di prodotti	APTM120H29FG	fabbricante	Microsemi
Descrizione	MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	407 pcs	Scheda dati	1.APTM120H29FG.pdf 2.APTM120H29FG.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 5mA	Contenitore dispositivo fornitore	SP6
Serie	POWER MOS 7®	Rds On (max) a Id, Vgs	348 mOhm @ 17A, 10V
Potenza - Max	780W	imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	SP6	Altri nomi	APTM120H29FGMI APTM120H29FGMI-ND
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	10300pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	374nC @ 10V	Tipo FET	4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET	Standard	Tensione drain-source (Vdss)	1200V (1.2kV)
Descrizione dettagliata	Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1200V (1.2kV) 34A 780W Chassis Mount SP6	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	34A

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Post-Vendita
Specifiche

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