APTM20HM20STG

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APTM20HM20STG
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4
Specifiche:	1.APTM20HM20STG.pdf 2.APTM20HM20STG.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	995 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 995 pcs

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Specifiche di APTM20HM20STG

Modello di prodotti	APTM20HM20STG	fabbricante	Microsemi
Descrizione	MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	995 pcs	Scheda dati	1.APTM20HM20STG.pdf 2.APTM20HM20STG.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 2.5mA	Contenitore dispositivo fornitore	SP4
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	24 mOhm @ 44.5A, 10V
Potenza - Max	357W	imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	SP4	temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Chassis Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	32 Weeks	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6850pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	112nC @ 10V
Tipo FET	4 N-Channel (H-Bridge)	Caratteristica FET	Standard
Tensione drain-source (Vdss)	200V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 200V 89A 357W Chassis Mount SP4
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	89A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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