APTM20UM05SG

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APTM20UM05SG
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 200V 317A J3
Specifiche:	APTM20UM05SG.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	4148 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4148 pcs

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Specifiche di APTM20UM05SG

Modello di prodotti	APTM20UM05SG	fabbricante	Microsemi
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 317A J3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	4148 pcs	Scheda dati	APTM20UM05SG.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 10mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	Module
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	5 mOhm @ 158.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	1136W (Tc)	imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	J3 Module	temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Chassis Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	27400pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	448nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	200V	Descrizione dettagliata	N-Channel 200V 317A (Tc) 1136W (Tc) Chassis Mount Module
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	317A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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