APTM50H15FT1G

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APTM50H15FT1G
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	MOSFET 4N-CH 500V 25A SP1
Specifiche:	1.APTM50H15FT1G.pdf 2.APTM50H15FT1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	2765 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2765 pcs

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Specifiche di APTM50H15FT1G

Modello di prodotti	APTM50H15FT1G	fabbricante	Microsemi
Descrizione	MOSFET 4N-CH 500V 25A SP1	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	2765 pcs	Scheda dati	1.APTM50H15FT1G.pdf 2.APTM50H15FT1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 1mA	Contenitore dispositivo fornitore	SP1
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	180 mOhm @ 21A, 10V
Potenza - Max	208W	imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	SP1	Altri nomi	APTM50H15UT1G APTM50H15UT1G-ND
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5448pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	170nC @ 10V	Tipo FET	4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET	Standard	Tensione drain-source (Vdss)	500V
Descrizione dettagliata	Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 500V 25A 208W Chassis Mount SP1	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	25A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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