APTM60A11FT1G

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APTM60A11FT1G
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1
Specifiche:	1.APTM60A11FT1G.pdf 2.APTM60A11FT1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	2789 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2789 pcs

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Specifiche di APTM60A11FT1G

Modello di prodotti	APTM60A11FT1G	fabbricante	Microsemi
Descrizione	MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	2789 pcs	Scheda dati	1.APTM60A11FT1G.pdf 2.APTM60A11FT1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 2.5mA	Contenitore dispositivo fornitore	SP1
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	132 mOhm @ 33A, 10V
Potenza - Max	390W	imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	SP1	Altri nomi	APTM60A11UT1G APTM60A11UT1G-ND
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	10552pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	330nC @ 10V	Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET	Standard	Tensione drain-source (Vdss)	600V
Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 40A 390W Chassis Mount SP1	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	40A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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