APTMC170AM30CT1AG

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APTMC170AM30CT1AG
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 1700V 106A SP1
Specifiche:	APTMC170AM30CT1AG.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	121 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 121 pcs

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Specifiche di APTMC170AM30CT1AG

Modello di prodotti	APTMC170AM30CT1AG	fabbricante	Microsemi
Descrizione	MOSFET 2N-CH 1700V 106A SP1	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	121 pcs	Scheda dati	APTMC170AM30CT1AG.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.3V @ 5mA (Typ)	Contenitore dispositivo fornitore	SP1
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	30 mOhm @ 100A, 20V
Potenza - Max	700W	imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	SP1	temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Chassis Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	32 Weeks	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6160pF @ 1000V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	380nC @ 20V
Tipo FET	2 N Channel (Phase Leg)	Caratteristica FET	Silicon Carbide (SiC)
Tensione drain-source (Vdss)	1700V (1.7kV)	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N Channel (Phase Leg) 1700V (1.7kV) 100A (Tc) 700W Chassis Mount SP1
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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