JAN1N5809US

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	JAN1N5809US
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF
Specifiche:	JAN1N5809US.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	8032 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 8032 pcs

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

100 pcs: $3.813

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Specifiche di JAN1N5809US

Modello di prodotti	JAN1N5809US	fabbricante	Microsemi
Descrizione	DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	8032 pcs	Scheda dati	JAN1N5809US.pdf
Tensione - diretta (Vf) (max) a If	875mV @ 4A	Tensione - inversa (Vr) (max)	100V
Contenitore dispositivo fornitore	B, SQ-MELF	Velocità	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie	Military, MIL-PRF-19500/477	Tempo di ripristino inverso (trr)	30ns
imballaggio	Bulk	Contenitore / involucro	SQ-MELF, B
Altri nomi	1086-2125 1086-2125-MIL	Temperatura di funzionamento - Giunzione	-65°C ~ 175°C
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	8 Weeks	Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo diodo	Standard	Descrizione dettagliata	Diode Standard 100V 6A Surface Mount B, SQ-MELF
Corrente - Dispersione inversa a Vr	5µA @ 100V	Corrente - raddrizzata media (Io)	6A
Capacità a Vr, F	60pF @ 10V, 1MHz

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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