JAN1N6073

Microsemi Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	JAN1N6073
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL
Specifiche:	JAN1N6073.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	4826 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4826 pcs

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Specifiche di JAN1N6073

Modello di prodotti	JAN1N6073	fabbricante	Microsemi Corporation
Descrizione	DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	4826 pcs	Scheda dati	JAN1N6073.pdf
Tensione - Picco inversa (max)	Standard	Tensione - diretta (Vf) (max) a If	850mA
Tensione - Ripartizione	A-PAK	Serie	Military, MIL-PRF-19500/503
Stato RoHS	Bulk	Tempo di ripristino inverso (trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Resistenza a If, F	-	Polarizzazione	A, Axial
Altri nomi	1086-19447 1086-19447-MIL	Temperatura di funzionamento - Giunzione	30ns
Tipo montaggio	Through Hole	Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore	JAN1N6073	Descrizione espansione	Diode Standard 50V 850mA Through Hole A-PAK
Configurazione diodo	1µA @ 50V	Descrizione	DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL
Corrente - Dispersione inversa a Vr	2.04V @ 9.4A	Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)	50V
Capacità a Vr, F	-65°C ~ 155°C

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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