JANSR2N7381

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	JANSR2N7381
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD
Specifiche:	JANSR2N7381.pdf
Condizione di scorta	5154 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5154 pcs

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Specifiche di JANSR2N7381

Modello di prodotti	JANSR2N7381	fabbricante	Microsemi
Descrizione	N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD	Stato Lead senza piombo / RoHS
quantità disponibile	5154 pcs	Scheda dati	JANSR2N7381.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-257
Serie	Military, MIL-PRF-19500/614	Rds On (max) a Id, Vgs	490 mOhm @ 9.4A, 12V
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta), 75W (Tc)	Contenitore / involucro	TO-257-3
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 12V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	12V
Tensione drain-source (Vdss)	200V	Descrizione dettagliata	N-Channel 200V 9.4A (Tc) 2W (Ta), 75W (Tc) Through Hole TO-257
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	9.4A (Tc)

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Post-Vendita
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