SG2003J-JAN

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	SG2003J-JAN
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
Specifiche:	SG2003J-JAN.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	5720 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5720 pcs

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Specifiche di SG2003J-JAN

Modello di prodotti	SG2003J-JAN	fabbricante	Microsemi
Descrizione	TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	5720 pcs	Scheda dati	SG2003J-JAN.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	1.6V @ 500µA, 350mA
Tipo transistor	7 NPN Darlington	Contenitore dispositivo fornitore	16-CDIP
Serie	-	Potenza - Max	-
imballaggio	Tube	Contenitore / involucro	16-CDIP (0.300", 7.62mm)
Altri nomi	1259-1082 1259-1082-MIL M38510/14103BEA Q9387418 SG2003JJAN	temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frequenza - transizione	-
Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-CDIP	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	1000 @ 350mA, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max)	-	Corrente - collettore (Ic) (max)	500mA

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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