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BSH105,215

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti: BSH105,215
Costruttore / Marca: Nexperia
Descrizione del prodotto MOSFET N-CH 20V 1.05A SOT23
Specifiche: BSH105,215.pdf
Stato RoHS Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta 498624 pcs stock
Nave da Hong Kong
Modo di spedizione DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 498624 pcs
Prezzo di riferimento (in dollari USA)
3000 pcs
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Specifiche di BSH105,215

Modello di prodotti BSH105,215 fabbricante Nexperia
Descrizione MOSFET N-CH 20V 1.05A SOT23 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 498624 pcs Scheda dati BSH105,215.pdf
Vgs (th) (max) a Id 570mV @ 1mA Vgs (Max) ±8V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore TO-236AB (SOT23)
Serie - Rds On (max) a Id, Vgs 200 mOhm @ 600mA, 4.5V
Dissipazione di potenza (max) 417mW (Ta) imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Altri nomi 1727-4924-2
568-6215-2
568-6215-2-ND
934054715215
BSH105 T/R
BSH105 T/R-ND
BSH105,215-ND
BSH105215
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 152pF @ 16V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 4.5V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Tensione drain-source (Vdss) 20V
Descrizione dettagliata N-Channel 20V 1.05A (Ta) 417mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23) Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.05A (Ta)

Metodo di spedizione

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(SOLO PER Circuiti integrati, Protezione di circuiti, RF / IF e RFID, Optoelettronica, Sensori, Trasduttori, Trasformatori, Isolatori, Interruttori, Relè)

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