PSMN018-100ESFQ

Nexperia

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	PSMN018-100ESFQ
Costruttore / Marca:	Nexperia
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CHANNEL 100V 53A I2PAK
Specifiche:	PSMN018-100ESFQ.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	94998 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 94998 pcs

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Specifiche di PSMN018-100ESFQ

Modello di prodotti	PSMN018-100ESFQ	fabbricante	Nexperia
Descrizione	MOSFET N-CHANNEL 100V 53A I2PAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	94998 pcs	Scheda dati	PSMN018-100ESFQ.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	I2PAK
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	18 mOhm @ 15A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	111W (Ta)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3, Short Tab	Altri nomi	934068749127
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1482pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	21.4nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	100V	Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 53A (Ta) 111W (Ta) Through Hole I2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	53A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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