Nexperia USA Inc.| Modello di prodotti | PSMN2R9-25YLC,115 | fabbricante | Nexperia USA Inc. |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 195628 pcs | Scheda dati | 1.PSMN2R9-25YLC,115.pdf2.PSMN2R9-25YLC,115.pdf |
| Tensione - Prova | 2083pF @ 12V | Tensione - Ripartizione | LFPAK56, Power-SO8 |
| Vgs (th) (max) a Id | 3.15 mOhm @ 25A, 10V | Vgs (Max) | 4.5V, 10V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Serie | - |
| Stato RoHS | Tape & Reel (TR) | Rds On (max) a Id, Vgs | 100A (Tc) |
| Polarizzazione | SC-100, SOT-669 | Altri nomi | 1727-5301-2 568-6731-2 568-6731-2-ND 934065202115 PSMN2R925YLC115 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) | codice articolo del costruttore | PSMN2R9-25YLC,115 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 33nC @ 10V | Tipo IGBT | ±20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.95V @ 1mA | Caratteristica FET | N-Channel |
| Descrizione espansione | N-Channel 25V 100A (Tc) 92W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 | Tensione drain-source (Vdss) | - |
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 25V |
| rapporto di capacità | 92W (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
|---|---|---|
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