PMDXB600UNEZ

Nexperia USA Inc.

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	PMDXB600UNEZ
Costruttore / Marca:	Nexperia
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Specifiche:	PMDXB600UNEZ.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	307868 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 307868 pcs

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Specifiche di PMDXB600UNEZ

Modello di prodotti	PMDXB600UNEZ	fabbricante	Nexperia USA Inc.
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	307868 pcs	Scheda dati	PMDXB600UNEZ.pdf
Tensione - Prova	21.3pF @ 10V	Tensione - Ripartizione	DFN1010B-6
Vgs (th) (max) a Id	620 mOhm @ 600mA, 4.5V	Serie	-
Stato RoHS	Tape & Reel (TR)	Rds On (max) a Id, Vgs	600mA
Potenza - Max	265mW	Polarizzazione	6-XFDFN Exposed Pad
Altri nomi	1727-2278-2 568-12564-2 568-12564-2-ND PMDXB600UNEZ-ND	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	6 Weeks	codice articolo del costruttore	PMDXB600UNEZ
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	0.7nC @ 4.5V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	950mV @ 250µA
Caratteristica FET	2 N-Channel (Dual)	Descrizione espansione	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 600mA 265mW Surface Mount DFN1010B-6
Tensione drain-source (Vdss)	Logic Level Gate	Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	20V

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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