QJD1210011

Powerex, Inc.

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	QJD1210011
Costruttore / Marca:	Powerex, Inc.
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Specifiche:	1.QJD1210011.pdf 2.QJD1210011.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	4271 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4271 pcs

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Specifiche di QJD1210011

Modello di prodotti	QJD1210011	fabbricante	Powerex, Inc.
Descrizione	MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	4271 pcs	Scheda dati	1.QJD1210011.pdf 2.QJD1210011.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 10mA	Contenitore dispositivo fornitore	Module
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	25 mOhm @ 100A, 20V
Potenza - Max	900W	imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	Module	temperatura di esercizio	-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio	Chassis Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	10200pF @ 800V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	500nC @ 20V	Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Silicon Carbide (SiC)	Tensione drain-source (Vdss)	1200V (1.2kV)
Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A (Tc) 900W Chassis Mount Module	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)

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Post-Vendita
Specifiche

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