IRF830

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IRF830
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220
Specifiche:	IRF830.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	118307 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 118307 pcs

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Specifiche di IRF830

Modello di prodotti	IRF830	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	118307 pcs	Scheda dati	IRF830.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220AB
Serie	PowerMESH™	Rds On (max) a Id, Vgs	1.5 Ohm @ 2.7A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	100W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3	Altri nomi	497-2732-5
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	610pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	500V
Descrizione dettagliata	N-Channel 500V 4.5A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	4.5A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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