STB18N60DM2

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	STB18N60DM2
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600V 12A
Specifiche:	STB18N60DM2.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	58755 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 58755 pcs

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Specifiche di STB18N60DM2

Modello di prodotti	STB18N60DM2	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 12A	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	58755 pcs	Scheda dati	STB18N60DM2.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	D2PAK
Serie	MDmesh™ DM2	Rds On (max) a Id, Vgs	295 mOhm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	90W (Tc)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Altri nomi	497-16339-1
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	800pF @ 100V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	600V
Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 12A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount D2PAK	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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