STB36NM60N

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	STB36NM60N
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Specifiche:	STB36NM60N.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	11563 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 11563 pcs

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Specifiche di STB36NM60N

Modello di prodotti	STB36NM60N	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	11563 pcs	Scheda dati	STB36NM60N.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	D2PAK
Serie	Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II	Rds On (max) a Id, Vgs	105 mOhm @ 14.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	210W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Altri nomi	497-12972-2
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2722pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	83.6nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	600V	Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 29A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	29A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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