STD6N60M2

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	STD6N60M2
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600V DPAK
Specifiche:	STD6N60M2.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	85143 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 85143 pcs

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Specifiche di STD6N60M2

Modello di prodotti	STD6N60M2	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 600V DPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	85143 pcs	Scheda dati	STD6N60M2.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	DPAK
Serie	MDmesh™ II Plus	Rds On (max) a Id, Vgs	1.2 Ohm @ 2.25A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	60W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Altri nomi	497-13939-2 STD6N60M2-ND
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	232pF @ 100V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	8nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	600V
Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 4.5A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount DPAK	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	4.5A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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