STD80N4F6

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	STD80N4F6
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Specifiche:	STD80N4F6.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	67677 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 67677 pcs

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Specifiche di STD80N4F6

Modello di prodotti	STD80N4F6	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 80A DPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	67677 pcs	Scheda dati	STD80N4F6.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	DPAK
Serie	Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI	Rds On (max) a Id, Vgs	6 mOhm @ 40A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	70W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Altri nomi	497-13576-2
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2150pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	40V
Descrizione dettagliata	N-Channel 40V 80A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount DPAK	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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