STF7N60DM2

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	STF7N60DM2
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET
Specifiche:	STF7N60DM2.pdf
Condizione di scorta	96823 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 96823 pcs

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Specifiche di STF7N60DM2

Modello di prodotti	STF7N60DM2	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET	Stato Lead senza piombo / RoHS
quantità disponibile	96823 pcs	Scheda dati	STF7N60DM2.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4.75V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220FP
Serie	MDmesh™ DM2	Rds On (max) a Id, Vgs	900 mOhm @ 3A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	25W (Tc)	Contenitore / involucro	TO-220-3 Full Pack
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Produttore tempi di consegna standard	42 Weeks	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	324pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	600V	Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 6A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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