STGD6M65DF2

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	STGD6M65DF2
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
Specifiche:	STGD6M65DF2.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	113095 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 113095 pcs

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Specifiche di STGD6M65DF2

Modello di prodotti	STGD6M65DF2	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	113095 pcs	Scheda dati	STGD6M65DF2.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	650V	Vce (on) (max) a VGE, Ic	2V @ 15V, 6A
Condizione di test	400V, 6A, 22 Ohm, 15V	Td (on / off) @ 25 ° C	15ns/90ns
di scambio energetico	36µJ (on), 200µJ (off)	Contenitore dispositivo fornitore	DPAK
Serie	M	Tempo di ripristino inverso (trr)	140ns
Potenza - Max	88W	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Altri nomi	497-16966-2
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso	Standard	Tipo IGBT	Trench Field Stop
carica gate	21.2nC	Descrizione dettagliata	IGBT Trench Field Stop 650V 12A 88W Surface Mount DPAK
Corrente - collettore Pulsed (Icm)	24A	Corrente - collettore (Ic) (max)	12A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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