STP11N65M2

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	STP11N65M2
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 650V 7A TO-220AB
Specifiche:	STP11N65M2.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	100292 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 100292 pcs

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Specifiche di STP11N65M2

Modello di prodotti	STP11N65M2	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 7A TO-220AB	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	100292 pcs	Scheda dati	STP11N65M2.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220
Serie	MDmesh™ II Plus	Rds On (max) a Id, Vgs	670 mOhm @ 3.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	85W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3	Altri nomi	497-15039-5
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	410pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	12.5nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	650V	Descrizione dettagliata	N-Channel 650V 7A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	7A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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