STW28N60DM2

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	STW28N60DM2
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600V 21A
Specifiche:	STW28N60DM2.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	27946 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 27946 pcs

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

1 pcs: $2.319

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Specifiche di STW28N60DM2

Modello di prodotti	STW28N60DM2	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 21A	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	27946 pcs	Scheda dati	STW28N60DM2.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-247
Serie	MDmesh™ DM2	Rds On (max) a Id, Vgs	160 mOhm @ 10.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	170W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-247-3	Altri nomi	497-16350-5
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1500pF @ 100V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	600V
Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 21A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	21A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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