STW56N65DM2

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	STW56N65DM2
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 650V 48A
Specifiche:	STW56N65DM2.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	14567 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 14567 pcs

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Specifiche di STW56N65DM2

Modello di prodotti	STW56N65DM2	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 48A	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	14567 pcs	Scheda dati	STW56N65DM2.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-247
Serie	MDmesh™ DM2	Rds On (max) a Id, Vgs	65 mOhm @ 24A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	360W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-247-3	Altri nomi	497-16337-5
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4100pF @ 100V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	88nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	650V
Descrizione dettagliata	N-Channel 650V 48A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	48A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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