| Modello di prodotti | TSM150P03PQ33 RGG | fabbricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 36A 8PDFN | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 238306 pcs | Scheda dati | TSM150P03PQ33 RGG.pdf |
| Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | 8-PDFN (3x3) |
| Serie | - | Rds On (max) a Id, Vgs | 15 mOhm @ 10A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 27.8W (Tc) | imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 8-PowerWDFN | Altri nomi | TSM150P03PQ33 RGGTR TSM150P03PQ33 RGGTR-ND TSM150P03PQ33RGGTR |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) | Produttore tempi di consegna standard | 32 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1829pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 29.3nC @ 10V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | P-Channel 30V 36A (Tc) 27.8W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (3x3) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 36A (Tc) |
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|---|---|---|
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