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TSM60NB380CP ROG

TSC (Taiwan Semiconductor)TSC (Taiwan Semiconductor)
TSM60NB380CP ROG Image
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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti: TSM60NB380CP ROG
Costruttore / Marca: TSC (Taiwan Semiconductor)
Descrizione del prodotto MOSFET N-CH 600V 9.5A TO252
Specifiche: TSM60NB380CP ROG.pdf
Stato RoHS Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta 70858 pcs stock
Nave da Hong Kong
Modo di spedizione DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 70858 pcs
Prezzo di riferimento (in dollari USA)
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Specifiche di TSM60NB380CP ROG

Modello di prodotti TSM60NB380CP ROG fabbricante TSC (Taiwan Semiconductor)
Descrizione MOSFET N-CH 600V 9.5A TO252 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 70858 pcs Scheda dati TSM60NB380CP ROG.pdf
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak)
Serie - Rds On (max) a Id, Vgs 380 mOhm @ 2.85A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 83W (Tc) imballaggio Original-Reel®
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Altri nomi TSM60NB380CP ROGDKR
TSM60NB380CP ROGDKR-ND
TSM60NB380CPROGDKR
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours) Produttore tempi di consegna standard 36 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 795pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 19.4nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600V Descrizione dettagliata N-Channel 600V 9.5A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9.5A (Tc)

Metodo di spedizione

★ SPEDIZIONE GRATUITA TRAMITE DHL / FEDEX / UPS SE UN IMPORTO PER ORDINI SUPERIORE A 1.000 USD.
(SOLO PER Circuiti integrati, Protezione di circuiti, RF / IF e RFID, Optoelettronica, Sensori, Trasduttori, Trasformatori, Isolatori, Interruttori, Relè)

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