| Modello di prodotti | TSM650P03CX RFG | fabbricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 537893 pcs | Scheda dati | TSM650P03CX RFG.pdf |
| Vgs (th) (max) a Id | 900mV @ 250µA | Vgs (Max) | ±12V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | SOT-23 |
| Serie | - | Rds On (max) a Id, Vgs | 65 mOhm @ 4A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.56W (Tc) | imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Altri nomi | TSM650P03CX RFGTR TSM650P03CX RFGTR-ND TSM650P03CXRFGTR |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 40 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 810pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4nC @ 4.5V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | P-Channel 30V 4.1A (Tc) 1.56W (Tc) Surface Mount SOT-23 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4.1A (Tc) |
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