SSM5N15FU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	SSM5N15FU,LF
Costruttore / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 0.1A USV
Specifiche:	SSM5N15FU,LF.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	708431 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 708431 pcs

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Specifiche di SSM5N15FU,LF

Modello di prodotti	SSM5N15FU,LF	fabbricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 0.1A USV	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	708431 pcs	Scheda dati	SSM5N15FU,LF.pdf
Vgs (th) (max) a Id	-	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	USV
Serie	π-MOSVI	Rds On (max) a Id, Vgs	4 Ohm @ 10mA, 4V
Dissipazione di potenza (max)	200mW (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	Altri nomi	SSM5N15FU (TE85L,F) SSM5N15FU (TE85LF) SSM5N15FU(TE85L,F) SSM5N15FU(TE85LF)TR SSM5N15FU(TE85LF)TR-ND SSM5N15FULFTR SSM5N15FUTE85LF
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7.8pF @ 3V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4V
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 100mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount USV
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	100mA (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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