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TPH1110FNH,L1Q

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
TPH1110FNH,L1Q Image
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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti: TPH1110FNH,L1Q
Costruttore / Marca: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione del prodotto MOSFET N-CH 250V 15A 8-SOP
Specifiche: TPH1110FNH,L1Q.pdf
Stato RoHS Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta 73133 pcs stock
Nave da Hong Kong
Modo di spedizione DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 73133 pcs
Prezzo di riferimento (in dollari USA)
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Specifiche di TPH1110FNH,L1Q

Modello di prodotti TPH1110FNH,L1Q fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 250V 15A 8-SOP Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 73133 pcs Scheda dati TPH1110FNH,L1Q.pdf
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 300µA Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP Advance (5x5)
Serie U-MOSVIII-H Rds On (max) a Id, Vgs 112 mOhm @ 5A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Ta), 57W (Tc) imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN Altri nomi TPH1110FNH,L1QCT
TPH1110FNH,L1QCT-ND
TPH1110FNHL1QCT
temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 100V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 250V
Descrizione dettagliata N-Channel 250V 10A (Ta) 1.6W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)

Metodo di spedizione

★ SPEDIZIONE GRATUITA TRAMITE DHL / FEDEX / UPS SE UN IMPORTO PER ORDINI SUPERIORE A 1.000 USD.
(SOLO PER Circuiti integrati, Protezione di circuiti, RF / IF e RFID, Optoelettronica, Sensori, Trasduttori, Trasformatori, Isolatori, Interruttori, Relè)

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