TPD3215M

Transphorm

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	TPD3215M
Costruttore / Marca:	Transphorm
Descrizione del prodotto	CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE
Specifiche:	TPD3215M.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	474 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 474 pcs

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Specifiche di TPD3215M

Modello di prodotti	TPD3215M	fabbricante	Transphorm
Descrizione	CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	474 pcs	Scheda dati	TPD3215M.pdf
Vgs (th) (max) a Id	-	Contenitore dispositivo fornitore	Module
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	34 mOhm @ 30A, 8V
Potenza - Max	470W	imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	Module	Altri nomi	TPH3215M TPH3215M-ND
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2260pF @ 100V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 8V
Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)	Caratteristica FET	GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione drain-source (Vdss)	600V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 70A (Tc) 470W Through Hole Module
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	70A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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