TPH3208PD

Transphorm

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	TPH3208PD
Costruttore / Marca:	Transphorm
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Specifiche:	TPH3208PD.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	9253 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 9253 pcs

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Specifiche di TPH3208PD

Modello di prodotti	TPH3208PD	fabbricante	Transphorm
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 20A TO220	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	9253 pcs	Scheda dati	TPH3208PD.pdf
Tecnologia	GaNFET (Gallium Nitride)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220
Serie	-	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	760pF @ 400V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 8V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione drain-source (Vdss)	650V
Descrizione dettagliata	N-Channel 650V 20A (Tc) Through Hole TO-220	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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