VS-2EFH01HM3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	VS-2EFH01HM3/I
Costruttore / Marca:	Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrizione del prodotto	DIODE GEN PURP 100V 2A DO-219AB
Specifiche:	VS-2EFH01HM3/I.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	708241 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 708241 pcs

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Specifiche di VS-2EFH01HM3/I

Modello di prodotti	VS-2EFH01HM3/I	fabbricante	Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrizione	DIODE GEN PURP 100V 2A DO-219AB	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	708241 pcs	Scheda dati	VS-2EFH01HM3/I.pdf
Tensione - Picco inversa (max)	Standard	Tensione - diretta (Vf) (max) a If	2A
Tensione - Ripartizione	DO-219AB (SMF)	Serie	-
Stato RoHS	-	Tempo di ripristino inverso (trr)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Resistenza a If, F	-	Polarizzazione	DO-219AB
Temperatura di funzionamento - Giunzione	16ns	Tipo montaggio	Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	11 Weeks
codice articolo del costruttore	VS-2EFH01HM3/I	Descrizione espansione	Diode Standard 100V 2A Surface Mount DO-219AB (SMF)
Configurazione diodo	2µA @ 100V	Descrizione	DIODE GEN PURP 100V 2A DO-219AB
Corrente - Dispersione inversa a Vr	950mV @ 2A	Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)	100V
Capacità a Vr, F	-65°C ~ 175°C

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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