FDB024N04AL7

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDB024N04AL7
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 40V D2PAK-7
Specifiche:	FDB024N04AL7.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	30324 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 30324 pcs

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Specifiche di FDB024N04AL7

Modello di prodotti	FDB024N04AL7	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 40V D2PAK-7	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	30324 pcs	Scheda dati	FDB024N04AL7.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	D²PAK (TO-263)
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	2.4 mOhm @ 80A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	214W (Tc)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Altri nomi	FDB024N04AL7CT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	29 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7300pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	109nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	40V	Descrizione dettagliata	N-Channel 40V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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