FDD6632

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDD6632
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 9A D-PAK
Specifiche:	FDD6632.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	5291 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5291 pcs

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Specifiche di FDD6632

Modello di prodotti	FDD6632	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 9A D-PAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	5291 pcs	Scheda dati	FDD6632.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	D-PAK (TO-252)
Serie	UltraFET™	Rds On (max) a Id, Vgs	70 mOhm @ 9A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	15W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	255pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 5V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 9A (Tc) 15W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	9A (Tc)

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Post-Vendita
Specifiche

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