0 Item(s)
0 Item(s)
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Modello di prodotti | FQT1N60CTF-WS | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 138714 pcs | Scheda dati | 1.FQT1N60CTF-WS.pdf2.FQT1N60CTF-WS.pdf |
| Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | SOT-223-4 |
| Serie | QFET® | Rds On (max) a Id, Vgs | 11.5 Ohm @ 100mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Tc) | imballaggio | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro | TO-261-4, TO-261AA | Altri nomi | FQT1N60CTF-WSDKR FQT1N60CTF_WSDKR FQT1N60CTF_WSDKR-ND |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 14 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 600V | Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 200mA (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-223-4 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 200mA (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
| UPS | www.UPS.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
| TNT | www.TNT.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
