FQT5P10TF

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FQT5P10TF
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
Specifiche:	1.FQT5P10TF.pdf 2.FQT5P10TF.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	197543 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 197543 pcs

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Specifiche di FQT5P10TF

Modello di prodotti	FQT5P10TF	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	197543 pcs	Scheda dati	1.FQT5P10TF.pdf 2.FQT5P10TF.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-223-4
Serie	QFET®	Rds On (max) a Id, Vgs	1.05 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2W (Tc)	imballaggio	Original-Reel®
Contenitore / involucro	TO-261-4, TO-261AA	Altri nomi	FQT5P10TFDKR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	8.2nC @ 10V	Tipo FET	P-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	100V	Descrizione dettagliata	P-Channel 100V 1A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	1A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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