HUFA75309T3ST

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	HUFA75309T3ST
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223
Specifiche:	1.HUFA75309T3ST.pdf 2.HUFA75309T3ST.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	4468 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4468 pcs

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Specifiche di HUFA75309T3ST

Modello di prodotti	HUFA75309T3ST	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	4468 pcs	Scheda dati	1.HUFA75309T3ST.pdf 2.HUFA75309T3ST.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-223-4
Serie	UltraFET™	Rds On (max) a Id, Vgs	70 mOhm @ 3A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	1.1W (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-261-4, TO-261AA	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	352pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 20V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	55V	Descrizione dettagliata	N-Channel 55V 3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	3A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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