HUFA75321D3

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	HUFA75321D3
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
Specifiche:	HUFA75321D3.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	5369 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5369 pcs

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Specifiche di HUFA75321D3

Modello di prodotti	HUFA75321D3	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 20A IPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	5369 pcs	Scheda dati	HUFA75321D3.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-251AA
Serie	UltraFET™	Rds On (max) a Id, Vgs	36 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	93W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	680pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	44nC @ 20V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	55V	Descrizione dettagliata	N-Channel 55V 20A (Tc) 93W (Tc) Through Hole TO-251AA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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