NVR4003NT3G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NVR4003NT3G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V SOT-23-3
Specifiche:	NVR4003NT3G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	1241163 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1241163 pcs

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Specifiche di NVR4003NT3G

Modello di prodotti	NVR4003NT3G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V SOT-23-3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	1241163 pcs	Scheda dati	NVR4003NT3G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1.4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-23 (TO-236AB)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	1.5 Ohm @ 10mA, 4V
Dissipazione di potenza (max)	690mW (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Altri nomi	NVR4003NT3G-ND NVR4003NT3GOSTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	4 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	21pF @ 5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	1.15nC @ 5V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4V
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 500mA (Ta) 690mW (Ta) Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	500mA (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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