NVR5124PLT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NVR5124PLT1G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT23-3
Specifiche:	NVR5124PLT1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	351479 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 351479 pcs

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Specifiche di NVR5124PLT1G

Modello di prodotti	NVR5124PLT1G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT23-3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	351479 pcs	Scheda dati	NVR5124PLT1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Serie	Automotive, AEC-Q101	Rds On (max) a Id, Vgs	230 mOhm @ 3A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	470mW (Ta)	imballaggio	Original-Reel®
Contenitore / involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Altri nomi	NVR5124PLT1GOSDKR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	50 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	240pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4.3nC @ 10V	Tipo FET	P-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	60V	Descrizione dettagliata	P-Channel 60V 1.1A (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	1.1A (Ta)

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Post-Vendita
Specifiche

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